1TB固态存储板

技术特点

VPX2201 1TB固态存储板由4个256GBytes SLC NAND FLASH阵列组成，总存储容量为1TB，读写速度为1.25GB/s。

本板可作如下配置使用：

  1 VPX5201 + 1 VPX2201：存储容量1TBytes、读写速度为1.25GB/s;

  1 VPX5201 + 2 VPX2201：存储容量2TBytes、读写速度为2.5GB/s。

VPX2201符合VITA65（OpenVPX）标准。

工作原理

固态存储板上有1片Xilinx K7 FPGA，接4个NAND FLASH阵列，每个阵列由16片16GB的SLC NAND FLASH芯片组成，最小存储单位为256MB。

FPGA接1M×16bit的SRAM，用于坏块管理。

用FPGA代码实现NAND FLASH阵列控制器，功能包括：坏块检测、坏块管理（坏块表和索引表）、流水线管理、主控、ECC编解码、物理接口时序等。

NAND FLASH存储阵列采用滚筒存储方式，每次开始记录数据时，存储数据的首地址接着上一次存储数据的末地址，全部存满后，从头开始记录数据，以保证各个NAND FLASH芯片的编程次数尽量均等，从而延长使用寿命。

功能

  单板可通过前面板千兆网口读、写固态存储区；
  单板可通过前面板光口读、写固态存储区（可选功能）；
  可与VPX5201配套使用，存储来自信号处理板的数据；
  可与VPX5201配套使用，向信号处理板回放事先存储的数据；
  可通过前面板一键删除键擦除全部固态存储区；
  板上有实时时钟，存储的数据以当前时间为文件名。

对外接口

背板：X8 3.125Gbps/Lane GTX通道

      2路异步全双工RS-422接口

前面板：2个千兆网口

        1个RS-232接口

        4个SFP+光纤接口（选件）

结构特征

标准6U VPX板卡

环境条件

工作温度 ：-40℃～+50℃

贮存温度 ：-40℃～+85℃

功耗

不大于50W，典型值